富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證
在國(guó)內(nèi)外同行重點(diǎn)關(guān)注氧化鎵單晶材料研制的同時(shí),杭州富加鎵業(yè)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱富加鎵業(yè))提前布局氧化鎵外延技術(shù)攻關(guān)。在國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料與高性能器件研究”項(xiàng)目支持(項(xiàng)目編號(hào):2022YFB3605500)支持下,研制了高性能MBE外延片,并與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目器件團(tuán)隊(duì)合作,成功制備了擊穿電壓大于2000V,電流密度為60 mA/mm的MOSFET橫向功率器件,與進(jìn)口同類型外延片制備器件性能相當(dāng)。
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