根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值超過5500億美元，創(chuàng)歷史新高。半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達(dá)643億美元，同比增長15.9%，其中中國大陸的半導(dǎo)體材料市場占比18.6%。盡管市場規(guī)模逐步提高，但我國大量市場份額被海外廠商占據(jù)，國產(chǎn)化率非常低。

國產(chǎn)化率的低迷導(dǎo)致我國半導(dǎo)體材料受制于人的問題突出，加之近年來，美國及其伙伴國家多次出臺政策提高對我國出口半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)的限制級別，將一些關(guān)鍵材料列入管制清單，極大地威脅了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和相關(guān)工業(yè)體系的安全。特別是具有戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性地位的先進(jìn)半導(dǎo)體材料，是美國對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)施重點(diǎn)打擊、圍剿的對象。2022年8月，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)再次發(fā)布最新的對華出口禁令，對以金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料實(shí)施了出口管制。該禁令是美國全面實(shí)施衍生技術(shù)制裁的一部分，將對中國先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來深遠(yuǎn)的影響。

而另一方面，該禁令也給國內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商帶來了發(fā)展機(jī)遇，倒逼國內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)自主探尋半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化之路。目前，在第三代半導(dǎo)體材料（氮化鎵、碳化硅等）、第四代半導(dǎo)體材料（氧化鎵、金剛石等）等重要半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，市場尚未發(fā)展成熟，我國與發(fā)達(dá)國家基本處于同一起跑線。隨著這些先進(jìn)半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸深入，我國將獲得與發(fā)達(dá)國家同臺競爭的機(jī)會，國內(nèi)企業(yè)應(yīng)當(dāng)把握這一歷史機(jī)遇，整合優(yōu)質(zhì)資源，突破核心技術(shù)，打造本土產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的自主可控。

下文涉及的專利數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)規(guī)則說明如下：

1、企業(yè)包括“企查查”統(tǒng)計(jì)的“持股比例”或“對外投資比例”50%以上的主體；

2、統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)截至2022年9月30日，來源IncoPat專利數(shù)據(jù)庫，愛集微知識產(chǎn)權(quán)整理；

3、海外專利包含世界知識產(chǎn)權(quán)組織（WO）和中國臺灣地區(qū)（TW）專利。

國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)——創(chuàng)新實(shí)力榜單

我們從專利布局、有效性、技術(shù)、法律和經(jīng)濟(jì)等五個(gè)維度選取客觀指標(biāo)，基于合理的權(quán)重生成專利價(jià)值度，用以量化企業(yè)專利的價(jià)值高低。專利價(jià)值度兼顧了企業(yè)的專利布局策略的健康度、國際視野、文件撰寫質(zhì)量等多重因素。根據(jù)企業(yè)的專利總量和專利價(jià)值度，計(jì)算得到各企業(yè)專利創(chuàng)新分值，在此基礎(chǔ)上發(fā)布國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)專利創(chuàng)新十強(qiáng)榜單。

中電科13所（河北半導(dǎo)體研究所）以超過1000分的專利創(chuàng)新分值位列榜單第一位，接近排名第二的華燦光電的2倍。作為我國核心電子器件的排頭兵，其市場地位、科技創(chuàng)新實(shí)力與知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)實(shí)力均不容小覷。中電科13所擁有專用集成電路國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國家科技部863計(jì)劃光電子器件產(chǎn)業(yè)化基地和MEMS工藝封裝基地、博士后科研工作站及十個(gè)專業(yè)部、研究室，7條中試線和8個(gè)控股高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)公司，科研實(shí)力強(qiáng)勁。2022年，中電科13所全面開啟“碳化硅年”，以其6英寸碳化硅工藝線為硬件基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)了車規(guī)級高壓碳化硅MOSFET的批量生產(chǎn)。同時(shí)，中電科13所還突破5G基站用氮化鎵芯片技術(shù)，將電流崩塌降低了3倍，實(shí)現(xiàn)了我國氮化鎵芯片的自主創(chuàng)新。

排名第2與第3位的華燦光電和中材高新的專利創(chuàng)新分值在500左右，居于行業(yè)第二梯隊(duì)。其中華燦光電的主打產(chǎn)品Mini/MicroLED中采用氮化鎵作為LED芯片的外延材料。排名第5-10位的企業(yè)專利創(chuàng)新分值差異并不明顯，大多在100-250之間，居于行業(yè)第三梯隊(duì)。

整體來看，中電科13所在我國半導(dǎo)體先進(jìn)材料領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力穩(wěn)坐頭把交椅，與其他企業(yè)拉開了較大差距，短期之內(nèi)難以被超越。而第三梯隊(duì)的企業(yè)相比于第二梯隊(duì)的企業(yè)，在專利創(chuàng)新實(shí)力上的差距并沒有第二梯隊(duì)企業(yè)與中電科13所的差距大，未來在市場和知識產(chǎn)權(quán)競爭中是否會實(shí)現(xiàn)趕超，將值得期待。

國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)——國際視野榜單

海外專利布局對國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)參與全球市場競爭的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)與國際市場話語權(quán)具有重大意義，體現(xiàn)了企業(yè)的國際視野。同時(shí)，海外專利也是企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)出海、與國際巨頭進(jìn)行競爭的重要武器。針對國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)的海外專利布局的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，發(fā)布國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)國際視野十強(qiáng)榜單。

在國際視野十強(qiáng)榜單中，晶湛半導(dǎo)體無論是海外布局的專利數(shù)量還是海外專利的占比都大幅領(lǐng)先于其他企業(yè)，尤其是其海外專利占比接近70%，在國內(nèi)的先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)中獨(dú)樹一幟。排名第2名的英諾賽科雖然海外專利占公司全部專利的比例與晶湛半導(dǎo)體還有不小的差距，但數(shù)量也在100件以上，表明其對海外專利布局也較為重視。

而國內(nèi)其他企業(yè)則在國際視野方面與前述2家企業(yè)的差距較大，海外專利布局整體較為薄弱。具體體現(xiàn)為專利申請量大的企業(yè)海外布局占比小，對搶占國外相關(guān)市場的意愿不高，或?qū)Ξa(chǎn)品出海的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)認(rèn)識不足。例如中電科13所，海外專利布局雖有64項(xiàng)，但占比僅有3.03%，在國內(nèi)半導(dǎo)體先進(jìn)材料企業(yè)中排名第9。這一現(xiàn)象應(yīng)當(dāng)引起行業(yè)龍頭企業(yè)的重視。另外，一些新興領(lǐng)域的企業(yè)雖然對海外專利布局的熱情很高，但不論是從公司體量、行業(yè)地位、創(chuàng)新實(shí)力還是專利積累來看，都仍處于發(fā)展初期。例如富加鎵業(yè)，由于公司成立時(shí)間不久，加之氧化鎵是近幾年才興起的第四代半導(dǎo)體材料，因此雖然其2022年在氧化鎵材料領(lǐng)域?qū)＠_量排名第一，海外布局的專利占比也較高，但從海外專利數(shù)量上看僅有17項(xiàng)，相比行業(yè)頭部企業(yè)仍未形成明顯的競爭優(yōu)勢。

國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)——行業(yè)影響力榜單

以專利被引用情況作為企業(yè)的技術(shù)對行業(yè)技術(shù)的貢獻(xiàn)大小的參照。專利被引用的情況包括被其他專利文獻(xiàn)公開引用，或在其他專利的實(shí)質(zhì)審查程序中審查員將本專利文獻(xiàn)作為對比文獻(xiàn)在通知書或檢索報(bào)告中引用。專利被引用比例的高低反映出企業(yè)披露的專利對應(yīng)的技術(shù)方案的研究熱度和業(yè)內(nèi)關(guān)注活躍度，側(cè)面反映出企業(yè)專利的技術(shù)先進(jìn)性，可作為企業(yè)的技術(shù)對行業(yè)技術(shù)貢獻(xiàn)度的體現(xiàn)?；趪鴥?nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)的專利被引用數(shù)量與比例的綜合考慮，發(fā)布企業(yè)技術(shù)的行業(yè)影響力十強(qiáng)榜單。

通過專利被引用情況作為線索進(jìn)行技術(shù)追蹤與風(fēng)險(xiǎn)排查，是業(yè)內(nèi)企業(yè)可以選擇關(guān)注的議題。行業(yè)影響力十強(qiáng)榜單中，排名前兩位的世紀(jì)金光和同光晶體雖然專利總量不多，但有約一半的專利被其他專利引用，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他上榜企業(yè)，顯示出這兩家企業(yè)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，其專利披露的技術(shù)內(nèi)容受到業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。

國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)——新秀企業(yè)榜單

為了推進(jìn)中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2014年9月，第一期國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（“國家大基金”）成立。自國家大基金成立以來，各地涌現(xiàn)出不少集成電路新秀企業(yè)。針對成立于2014年9月后的集成電路第三代、第四代半導(dǎo)體企業(yè)，綜合企業(yè)專利年產(chǎn)出量、專利價(jià)值度等多維度數(shù)據(jù)，發(fā)布新秀企業(yè)專利實(shí)力十強(qiáng)榜單。

本次發(fā)布的榜單針對以第三代、第四代半導(dǎo)體為代表的中國大陸先進(jìn)半導(dǎo)體材料企業(yè)，由于企業(yè)的發(fā)展歷史、技術(shù)積累、產(chǎn)業(yè)規(guī)模等多方面的因素，目前在分值上具有一定的差異。公眾可通過各個(gè)企業(yè)間的數(shù)據(jù)對比，作為企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新能力、知識產(chǎn)權(quán)的重視程度和投入的參考。

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