近日，由賓夕法尼亞州立大學(xué)、加利福尼亞大學(xué)和俄亥俄州立大學(xué)等的研究人員于科學(xué)期刊《ACS Publications》發(fā)布了一篇名為Ultra-Wide Band Gap Ga2O3-on-SiC MOSFETs（SiC MOSFETs的超寬禁帶Ga2O3）的氧化鎵相關(guān)論文。
內(nèi)容摘要
基于超寬禁帶半導(dǎo)體β相氧化鎵（Ga2O3）的器件會實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)性能和效率，并比現(xiàn)今的寬禁帶電力電子器件更低的制造成本。然而，Ga2O3電子器件商業(yè)化的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)是過熱，這影響了器件的性能和可靠性。然而，過熱問題是Ga2O3電子產(chǎn)品商業(yè)化的難點(diǎn)，其會影響器件性能和可靠性。我們采用熔融鍵合法制備了Ga2O3/4H-SiC復(fù)合晶圓。我們開發(fā)了一種低溫（≤600℃）外延和器件加工方案，以在復(fù)合晶圓上制造MOSFET。低溫生長的外延Ga2O3器件具有很高的熱性能（通道溫度降低56%），功率值為（～300 MW/cm2），這是迄今為止異質(zhì)集成Ga2O3器件中最高的。根據(jù)硅基氮化鎵MOSFET的熱表征結(jié)果進(jìn)行的模擬校準(zhǔn)顯示，具有降低的Ga2O3厚度（～1μm）和更薄的鍵合夾層（<10nm）的Ga2O3/金剛石復(fù)合晶圓可以將器件的熱阻抗降低到低于當(dāng)今硅基氮化鎵功率開關(guān)的水平。
原文分享
文章源自ACS Publications，聯(lián)盟編譯整理