南京信息工程大學(xué)在第十九屆江蘇省高校大學(xué)生物理與實(shí)驗(yàn)科技作品創(chuàng)新競(jìng)賽中獲佳績(jī)

11月19日，由江蘇省物理學(xué)會(huì)、江蘇省高校大學(xué)生物理與實(shí)驗(yàn)科技作品創(chuàng)新競(jìng)賽組織委員會(huì)主辦，江蘇科技大學(xué)承辦的第十九屆江蘇省高校大學(xué)生物理及實(shí)驗(yàn)科技作品創(chuàng)新競(jìng)賽以線上展示和答辯的方式舉行。在物電院、教師教育學(xué)院、工程訓(xùn)練中心等部門的共同努力下，經(jīng)過(guò)精心籌劃準(zhǔn)備，南京信息工程大學(xué)共有九項(xiàng)作品晉級(jí)江蘇省決賽。其中，氧化鎵占據(jù)了論文組的三等獎(jiǎng)。

電科材料組織開展2022年“揭榜掛帥”項(xiàng)目總結(jié)驗(yàn)收

近日，電科材料組織專家對(duì)碳化硅、硅、氧化鎵、氮化鋁四個(gè)“揭榜掛帥”項(xiàng)目進(jìn)行總結(jié)驗(yàn)收。

會(huì)議指出，首批遴選出的四個(gè)項(xiàng)目充分體現(xiàn)了“揭榜掛帥”的激勵(lì)效果，形成了新技術(shù)24項(xiàng)、新專利21項(xiàng)。6英寸N型碳化硅襯底產(chǎn)品產(chǎn)出增長(zhǎng)超20倍；6英寸硅拋光片生產(chǎn)線建設(shè)提速，工程保障能力提升20倍；2英寸氧化鎵拋光片和外延片、2英寸氮化鋁技術(shù)刷新了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

會(huì)議強(qiáng)調(diào)，要進(jìn)一步做好總結(jié)、固化現(xiàn)有成果，建立“揭榜掛帥”長(zhǎng)效機(jī)制。一是立足科技創(chuàng)新，持續(xù)提升項(xiàng)目中新技術(shù)、新工藝、新專利的占比；二是堅(jiān)持效益導(dǎo)向，項(xiàng)目要關(guān)注經(jīng)濟(jì)指標(biāo)的完成，確保真正實(shí)現(xiàn)收入利潤(rùn)；三是建立跟蹤反饋機(jī)制，加強(qiáng)對(duì)項(xiàng)目問(wèn)題整改落實(shí)情況的跟進(jìn)監(jiān)督；四是優(yōu)化獎(jiǎng)懲機(jī)制，讓“揭榜”者能夠心無(wú)旁騖地攻堅(jiān)克難，傳遞“實(shí)干為要”最強(qiáng)音；五是加強(qiáng)經(jīng)驗(yàn)交流，完善“揭榜掛帥”機(jī)制，使其更符合電科材料發(fā)展實(shí)際，更好地激發(fā)創(chuàng)新活力。

浙江省發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)鏈標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南——芯片制造標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)重點(diǎn)

該領(lǐng)域未來(lái)三年重點(diǎn)研制標(biāo)準(zhǔn)方向?yàn)椴牧?、硅片制造裝備、生產(chǎn)控制和晶圓檢測(cè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的修訂與制定。力爭(zhēng)制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并主導(dǎo)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定。

具體包括：

1.針對(duì)氧化鎵等新興化合物半導(dǎo)體晶圓標(biāo)準(zhǔn)缺失的問(wèn)題，依托浙江省寬禁帶功率半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，制定氧化鎵晶圓領(lǐng)域的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并力爭(zhēng)主導(dǎo)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定；

2.發(fā)揮浙江省硅晶圓制造及相關(guān)裝備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，制定或修訂當(dāng)前的硅片制造設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)，力爭(zhēng)主導(dǎo)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定或修訂；

3.依托浙江省CMOS集成電路成套工藝與設(shè)計(jì)技術(shù)創(chuàng)新中心，制定特種工藝芯片制造的生產(chǎn)控制相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，形成行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并力爭(zhēng)主導(dǎo)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定；

4.在圖像傳感器及其他傳感器芯片、AI芯片和汽車電子芯片等領(lǐng)域制定團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，并力爭(zhēng)主導(dǎo)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。

日本信州功率半導(dǎo)體技術(shù)匯集，利用氧化鎵結(jié)晶生產(chǎn)技術(shù)，產(chǎn)學(xué)官開展共同研究

長(zhǎng)野縣的企業(yè)、研究人員、縣工業(yè)促進(jìn)組織（長(zhǎng)野市）和其他機(jī)構(gòu)開始合作研究下一代 "功率半導(dǎo)體 "的生產(chǎn)。功率半導(dǎo)體在電力轉(zhuǎn)換中作為實(shí)現(xiàn)脫碳社會(huì)的一個(gè)重要組成部分，需求量已越來(lái)越大。他們利用信州的新型高性能材料，通過(guò)匯集其技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。其目的在2024-25年創(chuàng)立公司，以生產(chǎn)和銷售該材料的晶圓。除此之外，該公司還將尋求制造和銷售半導(dǎo)體。

此項(xiàng)研究在被稱為“信州氧化鎵器件化研究會(huì)”的機(jī)構(gòu)進(jìn)行。當(dāng)?shù)財(cái)?shù)家企業(yè)和日本國(guó)立研究機(jī)構(gòu)產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（茨城縣）等機(jī)構(gòu)參加。信州大學(xué)名譽(yù)教授干川圭吾（結(jié)晶工學(xué)）領(lǐng)導(dǎo)的研究小組將利用其于2019年開發(fā)的以低成本生產(chǎn)氧化鎵單晶作為半導(dǎo)體材料的技術(shù)。

雖然現(xiàn)今主流的功率半導(dǎo)體依然為硅制，如果能使用能源效率更好的素材的話，就可以延長(zhǎng)電動(dòng)能源車（EV）的最大航程等。因此，碳化硅和氮化鎵作為硅的替代品正在被投入實(shí)際使用，而氧化鎵擁有可以承受更高的電壓，大幅降低電力損耗的特點(diǎn)。

作為研究會(huì)成員的新光電氣工業(yè)（長(zhǎng)野市）表示，不會(huì)銷售自家材料和獨(dú)自進(jìn)行半導(dǎo)體制造。并且該公司的執(zhí)行委員開發(fā)統(tǒng)合部長(zhǎng) 荒木康表示“這是一個(gè)令人期待的市場(chǎng)。我們正在參與研究和開發(fā)，為新材料的出現(xiàn)做準(zhǔn)備，作為對(duì)當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)貢獻(xiàn)的一部分?！笨h產(chǎn)業(yè)振興機(jī)構(gòu)的名譽(yù)研究員若林信一表示“擁有制造氧化鎵晶體的技術(shù)將會(huì)是我們的優(yōu)勢(shì)，如果產(chǎn)學(xué)官在這方面進(jìn)行合作，那可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)構(gòu)想了。”該研究會(huì)正在進(jìn)行將氧化鎵晶體切割和研磨，實(shí)現(xiàn)為晶圓的技術(shù)開發(fā)。

氧化鎵的單晶。切成薄圓片用作半導(dǎo)體的襯底材料（刻度為1cm單位）