您當(dāng)前的位置：
4英寸氧化鎵襯底片
晶圓產(chǎn)品參數(shù)
摻雜：Sn
導(dǎo)電性：n
晶面：(100)
雙晶搖擺半高寬：≤250”
載流子濃度：≥1×1018 cm-3
位錯(cuò)密度：<1×105 cm-2
目前參考尺寸：4 inch
參考邊：[010]方向
加工指標(biāo)：晶面偏差：<±1°；直徑：100.0 mm±0.5 mm；厚 度： 0.65 mm ± 0.02 mm；單面拋光，Ra<1 nm
產(chǎn)品外形示意圖
