9月4日，國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項“大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料與高性能器件研究”項目啟動會在杭州富陽順利召開。

該項目由中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所牽頭，聯(lián)合廈門大學(xué)、吉林大學(xué)、中國電子科技集團公司第五十五研究所、北京中材人工晶體研究院有限公司、復(fù)旦大學(xué)、電子科技大學(xué)、杭州光學(xué)精密機械研究所、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司多家單位協(xié)同攻關(guān)。

出席本次會議的專家有浙江大學(xué)楊德仁院士、長光華芯光電技術(shù)有限公司廖新勝正高級工程師、中國電子科技集團公司第四十六研究所林健研究員、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵教授、電子科技大學(xué)羅小蓉教授、浙江大學(xué)盛況教授、中國航天科技集團公司第五研究院508所孫世君研究員、山東大學(xué)陶緒堂教授、中國科學(xué)院微電子研究所王鑫華研究員、中國科學(xué)院上海分院吳成鐵研究員、南京大學(xué)葉建東教授、復(fù)旦大學(xué)周鵬教授。依托單位張龍副所長及項目和課題相關(guān)人員四十余人參會。楊德仁院士為本次會議專家組組長。

上海光機所副所長、杭州光機所理事長張龍研究員代表項目承擔(dān)單位致歡迎詞，感謝各位專家不辭辛勞，從全國各地來參加此次會議，并簡要介紹了杭州光機所的總體情況。項目負責(zé)人齊紅基研究員匯報了項目總體實施方案及各課題的研究內(nèi)容、研究目標、實施方案等。

項目面向發(fā)展氧化鎵基日盲紫外探測及功率電子器件的迫切需求，以解決氧化鎵單晶襯底和外延薄膜缺陷與摻雜機制，微觀電子結(jié)構(gòu)、薄膜物性和器件性能構(gòu)效關(guān)系等關(guān)鍵科學(xué)問題為基礎(chǔ)，突破 6英寸單晶熱場設(shè)計、高質(zhì)量外延膜生長、器件核心結(jié)構(gòu)設(shè)計等關(guān)鍵技術(shù)，研制出新一代高性能氧化鎵基功率及探測器件。

本項目的實施將打通氧化鎵材料、外延到器件的全鏈路，研究成果有望逐步應(yīng)用于電動汽車、光伏變電、艦艇綜合電力、雷達探測、日盲紫外預(yù)警及環(huán)境監(jiān)測等方向，對推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化和經(jīng)濟發(fā)展具有積極的意義。同時也有助于打破國外相關(guān)技術(shù)封鎖，提升我國在該領(lǐng)域日趨激烈的國際競爭中的地位，推動我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。

與會專家認真聽取和充分論證了項目實施方案，并給予了充分肯定，對項目研究目標、研究內(nèi)容及各課題間協(xié)調(diào)統(tǒng)籌、合作交流等方面提出了具有建設(shè)性的指導(dǎo)意見。專家組經(jīng)過質(zhì)詢討論后，一致同意通過項目實施方案論證。

會議期間，張龍副所長帶領(lǐng)專家和項目組代表參觀了杭州光機所并介紹了富加鎵業(yè)發(fā)展情況，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日，是杭州光機所第一批孵化企業(yè)，在這三年期間公司專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)，公司核心創(chuàng)始人具有中科院博士、劍橋大學(xué)博士等材料領(lǐng)域的深厚背景，團隊成員主要來自中國科學(xué)院、美英海歸等業(yè)內(nèi)資深人才，研發(fā)人員中碩士以上比例達到80%；公司擁有多臺大尺寸導(dǎo)模法晶體生長爐、多氣氛晶體退火爐、高精密拋光機等儀器設(shè)備，為公司的發(fā)展提供了基礎(chǔ)支撐和持續(xù)創(chuàng)新動力。并申請中國發(fā)明專利共8項，實用新型25項，國際PCT專利1項（摻雜氧化鎵晶態(tài)材料及其制備方法和應(yīng)用，WO2018137673A1），申請進入歐盟、美國、日本、韓國、新加坡等國家。